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氮化鋁陶瓷

氮化鋁(AlN) 是一種高導熱、電絕緣、耐高溫且膨脹係數接近矽的高性能陶瓷材料,廣泛應用於電子、半導體、光電與新能源產業。

氮化鋁的特性

  • 極高導熱性:導熱係數約 170-200 W/m·K,遠優於氧化鋁,接近金屬銅與鋁。
  • 優異的電絕緣性:介電常數低,適合作為高功率電子元件的絕緣材料。
  • 熱膨脹係數接近矽:約 4.5×10⁻⁶/K,與矽晶圓相容,適用於半導體封裝。
  • 耐高溫與耐腐蝕性:可承受 >1000°C,且抗氧化、耐化學腐蝕。
  • 無毒且環保:與氧化鈹(BeO)相比,氮化鋁無毒,適合電子產業應用。

氮化鋁的應用

  • 半導體與電子產業:高導熱基板、功率晶片散熱材料
  • 光電產業:LED封裝、雷射二極體散熱片
  • 新能源與通訊設備:5G基站散熱材料、電動車功率模組基板
  • 高溫環境設備:微波元件、真空設備絕緣零件

晟鼎工業提供高精度氮化鋁陶瓷零件的製造與加工,專為高導熱與高絕緣應用提供最佳解決方案,滿足電子與半導體產業的高標準需求。